Procedimiento para la producción de silicio, procedimiento para la separación de siliciomasa de sal en fusión

Patente de invención

Procedimiento para la producción de silicio, procedimiento para la separación de silicio de una
masa de sal en fusión y procedimiento para la producción de tetrafluoruro de silicio.

Procedimiento para la producción de silicio, procedimiento
para la separación de silicio de una masa de sal en
fusión y procedimiento para la producción de tetrafluoruro
de silicio.
La invención se refiere a la tecnología de silicio para semiconductores.
El procedimiento según la invención consiste
en la separación electrolítica de una masa fundida eutéctica
saturada con tetrafluoruro de silicio, formada por
un sistema ternario de sales fluoruro de metales alcalinos.
Para la saturación de la masa fundida se utiliza un
tetrafluoruro de silicio obtenido por fluoración de dióxido
de silicio, donde la fluoración se realiza en dos etapas, esto
es en la primera etapa se alimenta flúor elemental en
exceso y en la segunda etapa se alimenta el dióxido de silicio.
La separación del polvo de silicio de la masa fundida
eutéctica de la sal de fluoruros se realiza por disolución
de la masa fundida que contiene las partículas de silicio
con ayuda de fluoruro de hidrógeno anhidro y subsiguiente
filtración para el aislamiento de la fase sólida en forma
de polvo de silicio.
Procedimiento para la producción de silicio, procedimiento para la separación de silicio